在LED燈珠封裝行業中，我們在生産制造中需要嚴格把控品質質量，除了精細的工藝把控，還有一個重要的因素就是原材料的篩選和甄別。一款合格的SMD燈珠的誕生，背後付出的是嚴格的制程管理和原材料的優選，從LED燈珠发光芯片，LED支架，胶水，到荧光粉，线材等等。本文带大家了解LED燈珠的发光芯片的原理和参数。

LED燈珠芯片是半導體發光器件LED的核心部件(LED燈)，LED發光的原理主要在于LED芯片的P-N結。一般來說，半導體晶片由兩部分組成，一部分是P型半導體，在它裏面空穴占主導地位，另一端是N型半導體，在這邊主要是電子。但這兩種半導體連接起來的時候，它們之間就形成一個P-N結(LED電視)。

當電流通過導線作用于這個晶片的時候，電子就會被推向P區，在P區裏電子跟空穴複合，然後就會以光子的形式發出能量而光的波長也就是光的顔色，是由形成P-N結的材料決定的(LED顯示器)。

    LED芯片主要由砷(AS)、铝(AL)、镓(Ga)、铟(IN)、磷(P)、氮(N)、锶(Si)这几种元素中的若干种组成，主要材料为单晶硅。

    LED芯片的分类

    用途：根据用途分为大功率led芯片、小功率led芯片两种;

    颜色：主要分为三种：红色、绿色、蓝色(制作白光的原料);

    形状：一般分为方片、圆片两种;

    大小：小功率的芯片一般分为8mil、9mil、12mil、14mil等

    LED燈珠芯片結構介紹

    不同LED芯片，其结构大同小异，有外延用的芯片基板( 蓝 宝石基板、碳化硅基板等) 和掺杂的外延半导体材料及透明金属电极等构成。

   LED燈珠芯片特點

    (1)四元芯片，采用MOVPE工艺制备，亮度相对于常规芯片要亮。

    (2)信赖性优良。

    (3)应用广泛。

    (4)安全性高。

    (5)寿命长。

LED燈珠芯片的重要參數

    1.正向工作电流If：

    它是指发光二极体正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。

    2.正向工作电压VF：

    参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是在IF=20mA时测得的。发光二极体正向工作电压VF在1.4～3V。在外界温度升高时，VF将下降。

    3.V-I特性：

    发光二极体的电压与电流的关系，在正向电压正小于某一值(叫阈值)时，电流极小，不发光。当电压超过某一值后，正向电流随电压迅速增加，发光。

    4.发光强度IV：

    发光二极体的发光强度通常是指法线(对圆柱形发光管是指其轴线)方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为(1/683)W/sr时，则发光1坎德拉(符号为cd)。由于一般LED的发光二极管强度小，所以发光强度常用烛光(坎德拉, mcd)作单位。

    5.LED的发光角度：

     -90°- +90°

    6.光谱半宽度Δλ:

    它表示发光管的光谱纯度。

    7.半值角θ1/2和视角：

    θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向(法向)的夹角。

    8.全形：

    根据LED发光立体角换算出的角度，也叫平面角。

    9.视角：

    指LED发光的最大角度，根据视角不同，应用也不同，也叫光强角。

    10.半形：

    法向0°与最大发光强度值/2之间的夹角。严格上来说，是最大发光强度值与最大发光强度值/2所对应的夹角。LED的封装技术导致最大发光角度并不是法向0°的光强值，引入偏差角，指得是最大发光强度对应的角度与法向0°之间的夹角。

    11.最大正向直流电流IFm：

    允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极体。

    12.最大反向电压VRm：

    所允许加的最大反向电压即击穿电压。超过此值，发光二极体可能被击穿损坏。

    13.工作环境topm:

    发光二极体可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极体将不能正常工作，效率大大降低。

    14.允许功耗Pm:

    允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。

我們知道，LED燈珠芯片的主要功能是：可以直接把电转化为光，它可以说是LED的心脏。本文简单介绍了LED芯片的基础知识即：LED芯片的分类、结构、特点以及重要参数等内容。现在市面上封装厂商所进行封装生产的LED燈珠，如：5050灯珠，RGB灯珠，3535灯珠，幻彩灯珠，内置CI灯珠，全彩灯珠，侧发光灯珠等等，基本上都是采用这种芯片进行封装，了解了LED燈珠背後的技術知識，我們也就對LED封裝廠商有了大概的了解，